 для обчислень в оперативній пам'яті.){kind=link}
Společnost Samsung oznámila, že jako první na světě předvedla technologii MRAM (magnetoresistive random access memory) pro výpočty v paměti. Dokument společnosti s názvem „Cross-Array Magnetoresistive Devices for In-Memory Computing“ byl publikován v časopise Nature.
Data jsou obvykle uložena ve vysokorychlostní paměti DRAM procesoru. MRAM však mění situaci a integruje ukládání dat a výpočet, což umožňuje obojí na stejném čipu. Teoreticky jsou operace v tomto případě prováděny mnohem rychleji, protože není potřeba přenášet data z paměti procesoru a naopak. Kromě toho je dosaženo významné úspory elektrické energie, protože zpracování dat probíhá v paměti velmi paralelně.
Tato demonstrace je průlomová, protože zatímco jiná výpočetní řešení v paměti, jako je PRAM a RRAM již byla předvedena, bylo docela obtížné dosáhnout funkční MRAM, a to především kvůli jejímu nízkému odporu. Rovněž nebylo možné využít výhodu energetické účinnosti MRAM ve standardní výpočetní architektuře v paměti.
Společnost Samsung umožnila MRAM díky proprietárnímu čipu s polem MRAM, který k vyřešení problému odporu používá Resistance Sum namísto standardního Current-Sum.
Řešení bylo testováno pomocí aplikací umělé inteligence (AI) a prokázalo 98% přesnost při klasifikaci ručně psaných číslic a 93% přesnost při detekci tváří na snímcích. Samsung tvrdí, že technologii MRAM lze použít pro zpracování AI a pro vytváření vysoce výkonných AI čipů.
Dr. Seunchul Jung, první autor článku, řekl: „Výpočet v paměti je podobný mozku v tom smyslu, že v mozku probíhá výpočet také v biologických paměťových sítích neboli synapsích – bodech, kde se neurony vzájemně dotýkají. Ve skutečnosti, ačkoli výpočty prováděné naší sítí MRAM mají jiný účel než výpočty prováděné v současnosti mozkem, taková polovodičová paměťová síť může být v budoucnu použita jako platforma pro simulaci mozku simulací komunikace mozkové synapse."
Přečtěte si také: