Samsung Elektronika představil nejkapacitnější 12nm DDR5 DRAM 32Gb paměťové čipy v tomto odvětví, které jsou podle něj ideálně vhodné pro věk umělé inteligence. Předtím mohla společnost vyrábět 32Gbitové čipy pouze s 16Gbitovými krystaly namontovanými na TSV jeden na druhém. Vydání „jednokusových“ 32 Gb DDR5 čipů ve stejném balení s 16 Gb čipy sníží spotřebu a otevře cestu slibným 1 TB paměťovým modulům.
Podle odhadů Samsung, DDR5 čipy s dvojnásobnou kapacitou zajistí o 10 % nižší spotřebu 128 GB DDR5 modulů. Zajímavostí je, že zahájení výroby 12 nm 16 Gbit DDR5 DRAM společnost oznámila velmi nedávno – v květnu tohoto roku. Aktuální oznámení neznamená okamžité spuštění sériové výroby 32Gbit čipů. Firma slibuje zahájení jejich výroby až koncem letošního roku. Navýšení kapacity sériově dodávaných čipů na 32 Gbit umožní výrobcům pamětí přejít na vydání hromadných modulů DDR5 s objemem 64 GB a serverových modelů s objemem až 1 TB.
„Vytvořením 12nm DRAM třídy 32Gb jsme poskytli řešení, které umožní výrobu DRAM modulů až do 1TB, což nám dává perfektní příležitost uspokojit rostoucí poptávku po vysokokapacitních DRAM v éře umělé inteligence a velkých data,“ řekl Sun. Jun Hwang, výkonný viceprezident divize DRAM Product & Technology společnosti Samsung Elektronika. "Budeme pokračovat ve vývoji řešení DRAM založených na diferencovaných výrobních procesech a konstrukčních technologiích, abychom posunuli hranice paměťových technologií."
V současné době výrobci pamětí jako SK hynix a Micron nabízejí pouze 24Gb DDR5 čipy, což umožňuje hromadné moduly až do 96GB, ale Samsung zabírá kapacitu a nabízí třetí hustší řešení. Micron však ve své roadmapě také potvrdil práci na 5Gb čipech DDR32, i když ještě nebyly oficiálně oznámeny.
Za jeho příběh Samsung rozšířil limity RAM 500 64krát. Společnost představila svou první (1983 Kbit) paměť v roce 40. Za uplynulých XNUMX let neskutečně mnohonásobně navýšila kapacitu mikroobvodů, na což v té době málokdo mohl ani pomyslet.
Přečtěte si také:
- SK hynix vyvinul nejrychlejší paměť na světě – HBM3E s rychlostí 1,15 TB/s
- Huawei buduje tajnou síť továren na výrobu čipů pod sankcemi