 для авіації і космосу.){kind=link}
Právě bylo oznámeno uvedení 1 Gbit (128 MB) diskrétních paměťových čipů STT-MRAM pro letecké aplikace. To je mnohonásobně hustší magnetorezistivní paměť než ta, která byla nabízena dříve. Skutečná hustota umístění paměťových prvků STT-MRAM se zvyšuje 64krát, pokud mluvíme o produktech společnosti Micross, která vyrábí ultraspolehlivé elektronické výplně pro letecký a obranný průmysl.
Čipy STT-MRAM Micross jsou založeny na technologii americké společnosti Avalanche Technology. Avalanche založil v roce 2006 Peter Estakhri, rodák z Lexar a Cirrus Logic. Kromě Avalanche, Everspin a Samsung. První funguje ve spolupráci s GlobalFoundries a zaměřuje se na vydání vestavěných a diskrétních STT-MRAM s technologickými standardy 22 nm a druhý (Samsung) při uvolnění STT-MRAM ve formě 28 nm bloků zabudovaných do řadičů. Mimochodem, blok STT-MRAM s kapacitou 1 Gb, Samsung představena před téměř třemi lety.
Za zásluhy Micross lze považovat vydání diskrétní 1Gbit STT-MRAM, která se snadno používá v elektronice místo NAND-flash. Paměť STT-MRAM pracuje ve větším teplotním rozsahu (od -40°C do 125°C) s téměř nekonečným počtem přepisovacích cyklů. Nebojí se radiace ani teplotních změn a dokáže uchovávat data v buňkách až 10 let, nemluvě o vyšší rychlosti čtení a zápisu a menší spotřebě energie.
Připomeňme, že paměť STT-MRAM ukládá data do buněk ve formě magnetizace. Tento efekt byl objeven v roce 1974 při vývoji pevných disků v IBM. Přesněji pak byl objeven magnetorezistivní efekt, který sloužil jako základ technologie MRAM. Mnohem později bylo navrženo změnit magnetizaci paměťové vrstvy pomocí efektu přenosu elektronového spinu (magnetického momentu). K názvu MRAM tak přibyla zkratka STT. Směr spintroniky v elektronice je založen na přenosu spinu, což značně snižuje spotřebu čipů díky extrémně malým proudům v procesu.
Přečtěte si také: