Společnost micron Technology oznámila zahájení dodávek první 176vrstvé flash paměti na světě 3D NAND. Využití pokročilé architektury podle výrobce umožnilo udělat „radikální průlom“, který výrazně zvýšil nejen hustotu úložiště, ale i výkon. Nová paměť najde uplatnění v úložištích pro datová centra, chytré periferie a mobilní zařízení.
Novinka je pátou generací 3D NAND a ve druhé generaci architektury RG (replacement-gate), která je technologicky nejpokročilejší mezi vývojem dostupným na trhu. Ve srovnání s předchozí generací 3D NAND vyráběné společností Micron se zpoždění při čtení a zápisu zkrátilo o více než 35 %. Další výhodou je kompaktní design – 176vrstvá paměťová matrice je přibližně o 30 % menší než nabídka nejlepší konkurence ve své třídě, díky čemuž je nová paměť ideální pro aplikace, kde je důležitý malý tvarový faktor.
Pátá generace 3D NAND společnosti Micron se také může pochlubit špičkovou rychlostí přenosu dat 1600 33 milionů přenosů za sekundu (MT/s) přes sběrnici Open NAND Flash Interface (ONFI), což je o 1200 % rychlejší než 96 128 MT/s 3vrstvé a XNUMXvrstvé XNUMXD NAND Micron paměti předchozích generací.
Micron spolupracuje se zástupci průmyslu na urychlení přijetí nové paměti. 176vrstvá tříúrovňová paměť 3D NAND společnosti Micron se sériově vyrábí v singapurské továrně společnosti Micron a je nyní k dispozici zákazníkům, mimo jiné prostřednictvím řady spotřebitelských SSD disků Crucial. Další nové produkty založené na této technologii společnost představí v průběhu kalendářního roku 2021.
Přečtěte si také:
- Sony oznamuje nový projekt dronů Airpeak
- Na Ukrajině byl zahájen prodej mobilního steadicamu - FeiyuTech AK2000С