Japonský výrobce mikroobvodů Kioxie vyvinutá flash paměť NAND s přibližně 170 vrstvami, čímž se při vývoji pokročilých technologií připojuje ke svému americkému protějšku Micron Technology a jihokorejskému SK Hynix.
Nová paměť NAND byla vyvinuta společně s americkým partnerem Western Digital a dokáže zaznamenávat data dvakrát rychleji než současný špičkový produkt Kioxia, který se skládá ze 112 vrstev.
Kioxia, dříve známá jako Toshiba Memory, plánuje svou novou NAND představit na International Solid State Conference, každoročním globálním fóru polovodičového průmyslu, a plánuje zahájit sériovou výrobu již v příštím roce.
Doufá, že uspokojí poptávku spojenou s datovými centry a chytrými telefony, protože rozšíření bezdrátových technologií páté generace vede ke zvýšení objemu a rychlosti přenosu dat. Konkurence v této oblasti však již sílí: Micron a SK Hynix oznamují své nové produkty.
Kioxia také dokázala vměstnat více paměťových buněk na vrstvu se svou novou NAND, což znamená, že dokáže čipy o 30 % menší než ostatní se stejným množstvím paměti. Menší mikroobvody umožní větší flexibilitu při vytváření smartphonů, serverů a dalších produktů.
Pro zvýšení výroby flash pamětí plánují Kioxia a Western Digital letos na jaře zahájit výstavbu závodu v japonském Yokkaidó za 9,45 miliardy dolarů. První linky mají za cíl uvést do provozu již v roce 2022.
Přečtěte si také: